Физическая эквивалентная схема

физическая эквивалентная схема
Оно является лишь параметром абстрактной модели двухполюсника, то есть физического «резистора» как электронного компонента внутри двухполюсников обычно нет. Такие переходы обра­зуются между двумя плас­тинами, одна из которых имеет электронную или ды­рочную электропроводность, а другая — собственную. На рис 1.18 показаны энергетическая диаграмма и изменение концентра­ций на границе двух по­лупроводников с p- и i-областями. Стоячие волны устанавливаются не только вдоль одного из размеров кварца, но и вдоль других размеров. Выделяющаяся в запирающем слое теплота отводится преимущественно за счет теплопроводности.


Этими качествами полевой транзистор выгодно отличается от биполярных транзисторов с дву­мя p-n переходами. Заметим, что эмиттерный переход при этом может закрыться раньше или позже коллекторного в зависимости от скорости рассасывания неравновесного заряда, сосредоточенного поблизости от него. При отсут­- Рисунок 4.1 ПТ с управляющим p-n переходом. ствии напряжения на входе основные носители заряда — электроны под действием ускоряющего электрического ноля в канале (E = 105Q104 В/см) дрейфуют в направлении от истока к стоку, в то время как p-n переход для них заперт. Взаимодействие этих зарядов с зарядами, создаваемыми приложенным извне переменным электрическим полем, изменяет соотношение между напряжением на электродах кристаллодержателя с кварцем и током через него, причем электрическое сопротивление системы переменному току изменяется с частотой последнего.

Таким образом, наибольшим сопротивлением канал обла­дает в наиболее узкой своей части. Количество генерируемых носителей пропорциональ­но объему запирающего слоя, который зависит от ширины p-n перехода. По­скольку ширина запираю­щего слоя пропорциональ­на , ток генерации будет расти при увеличе­нии обратного напряже­ния. Под действием входного переменного напряжения изменяются входной и выходной токи транзистора. Теоретически, чтобы получить путём измерения полную информацию о реактивном внутреннем сопротивлении, необходимо снять зависимость от частоты, то есть провести измерения на всех частотах, которые может генерировать источник данного двухполюсника. При некотором обратном напряжении наблюдается рез­кое возрастание обратного тока. Примеси, захватывающие электроны из валент­ной зоны, называют акцепторными или акцепторами.

Похожие записи: